关于对辽宁中科“第三代化合物半导体芯片制造项目”一期修建性详细规划的公示

1、项目名称：辽宁中科“第三代化合物半导体芯片制造项目”一期修建性详细规划图。 2、项目内容：用地面积94095.76平方米，总建筑面积136640.42平方米。 容积率：1.45，建筑密度：52.21%，绿地率：14.72%。 另:废水站/危水收集池地下建筑面积：3500平方米。 一期用地面积：27311.24平方米，总建筑面积:29570.9平方米。 容积率：1.08，建筑密度：42.46%，绿地率：11.86% 3、本方案以最终审批为准。 4、规划编制单位：辽宁钢都集团建筑设计有限公司。 5、建设单位：辽宁中科鞍镓半导体科技有限公司。 6、公示日期：2020年9月9日至2020年9月16日。 附件： 辽宁中科“第三代化合物半导体芯片制造项目”一期修建性详细规划图